JANTX2N5153
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N5153中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTX2N5153引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N5153
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N5153 | Microsemi 美高森美 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N5153
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N5153 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 当前型号 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANS2N5153 品牌： 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 完全替代 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | JANTX2N5153和JANS2N5153的区别 |
| 型号： JANS2N5153L 品牌： 美高森美 封装： TO-5 | 完全替代 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | JANTX2N5153和JANS2N5153L的区别 |
| 型号： 2N5153JS 品牌： Semicoa Semiconductor 封装： | 类似代替 | TO-39 PNP 80V 2A | JANTX2N5153和2N5153JS的区别 |