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LM5111-1MX/NOPB、LM5111-1M/NOPB、TC4427EOA713对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM5111-1MX/NOPB LM5111-1M/NOPB TC4427EOA713

描述 LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate DriverMOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas InstrumentsTC4427A系列 1.5A 18V最高电压 7Ohm 双通道 非反相 MOSFET驱动器-SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Microchip (微芯)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 3.50V (min) 4.50V (min)

上升/下降时间 14ns, 12ns 14ns, 12ns 19 ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 - 5 A 1.5 A

静态电流 1.00 mA 1.00 mA -

上升时间 25 ns 25 ns 19 ns

下降时间 25 ns 25 ns 19 ns

下降时间(Max) 25 ns 25 ns 30 ns

上升时间(Max) 25 ns 25 ns 30 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.5V ~ 14V 3.5V ~ 14V 4.5V ~ 18V

电源电压(Max) 14 V 14 V 18 V

电源电压(Min) 3.5 V 3.5 V 4.5 V

供电电流 - - 4.5 mA

针脚数 8 - 8

耗散功率 - - 470 mW

耗散功率(Max) - - 470 mW

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.45 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99