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LM385MX-1.2、LM385M-1.2/NOPB、LM385MX-1.2/NOPB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM385MX-1.2 LM385M-1.2/NOPB LM385MX-1.2/NOPB

描述 LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode1.2V 至 2.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 - 10.0 A -

容差 ±2 % ±2 % ±2 %

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

供电电流 - 10.0 mA -

通道数 1 1 1

输出电压(Max) - 1.235 V 1.235 V

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) - 20 mA 20 mA

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

精度 - ±2 % -

针脚数 - - 8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm 3.9 mm

高度 - 1.45 mm 1.45 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

温度系数 ±150 ppm/℃ ±150 ppm/℃ ±150 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99