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IPI60R600CP、IPI65R600C6XKSA1、IPI65R600C6对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPI60R600CP IPI65R600C6XKSA1 IPI65R600C6

描述 CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power TransistorInfineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R600C6XKSA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

额定功率 - 63 W -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 60.0 W 63W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 6.10 A 7.3A 7.3A

上升时间 12 ns 9 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 550pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds)

下降时间 17 ns 13 ns 13 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 63W (Tc) 63 W

额定功率(Max) 60 W - 63 W

长度 10.2 mm 10.36 mm 10.36 mm

宽度 4.5 mm 4.52 mm 4.52 mm

高度 9.45 mm 9.45 mm 9.45 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free