PMV65XP、PMV65XP,215对比区别

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型号 PMV65XP PMV65XP,215

描述 P沟道的TrenchMOS极低水平FET P-channel TrenchMOS extremely low level FETPMV 系列 20 V 76 mΩ 1.92 W P 沟道 TrenchMOS 超低电平 FET -SOT-23

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

耗散功率 - 833 mW

输入电容(Ciss) - 744pF @20V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 480mW (Ta)

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.058 Ω

阈值电压 - 650 mV

输入电容 - 744 pF

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

上升时间 - 18 ns

额定功率(Max) - 1.92 W

下降时间 - 68 ns

极性 P-CH -

连续漏极电流(Ids) 2.8A -

长度 - 3 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)