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PMV65XP

PMV65XP

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

P沟道的TrenchMOS极低水平FET P-channel TrenchMOS extremely low level FET

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.065Ω @-1A,-4.7V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.47--0.9 耗散功率PdPower Dissipation| 480mW/0.48W Description & Applications| 20 V, single P-channel Trench MOSFET Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology 描述与应用| 20 V，单P沟道沟道MOSFET 低阈值电压 低通态电阻 沟道MOSFET技术


Win Source:
P-channel TrenchMOS extremely low level FET


PMV65XP中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.8A

封装参数

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMV65XP引脚图与封装图
PMV65XP引脚图

PMV65XP引脚图

PMV65XP封装图

PMV65XP封装图

PMV65XP封装焊盘图

PMV65XP封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
PMV65XP NXP 恩智浦 P沟道的TrenchMOS极低水平FET P-channel TrenchMOS extremely low level FET 搜索库存
替代型号PMV65XP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： PMV65XP

品牌： NXP 恩智浦

封装： SOT23-3 P-CH 20V 2.8A

当前型号

P沟道的TrenchMOS极低水平FET P-channel TrenchMOS extremely low level FET

当前型号

型号： PMV65XP,215

品牌： 安世

封装：

类似代替

PMV 系列 20 V 76 mΩ 1.92 W P 沟道 TrenchMOS 超低电平 FET -SOT-23

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型号： DMG3415U-7

品牌： 美台

封装： SOT23-3 P-Channel 20V 4A

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