SI7485DP-T1-E3、SI7635DP-T1-GE3对比区别
型号 SI7485DP-T1-E3 SI7635DP-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8VISHAY SI7635DP-T1-GE3 晶体管, P沟道
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SO PowerPAK SO
针脚数 - 8
漏源极电阻 0.006 Ω 0.0049 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 1.8 W 5 W
漏源极电压(Vds) -20.0 V -20.0 V
连续漏极电流(Ids) -20.0 A -40.0 A
输入电容(Ciss) - 4595pF @10V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 54 W
栅源击穿电压 ±8.00 V -
长度 - 5.99 mm
宽度 - 5 mm
高度 - 1.07 mm
封装 SO PowerPAK SO
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17