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SI7635DP-T1-GE3

SI7635DP-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI7635DP-T1-GE3  晶体管, P沟道

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


e络盟:
VISHAY  SI7635DP-T1-GE3.  晶体管, P沟道


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 26A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Allied Electronics:
SI7635DP-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 21 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK SO


富昌:
Si7635DP 系列 P沟道 20 V 0.0049 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK SO-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 26A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7635DP-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -40 A, -20 V, 4.9 mohm, 10 V, -2.2 V


SI7635DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0049 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 5 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -40.0 A

输入电容Ciss 4595pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 54 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

长度 5.99 mm

宽度 5 mm

高度 1.07 mm

封装 PowerPAK SO

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

SI7635DP-T1-GE3引脚图与封装图
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SI7635DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI7635DP-T1-GE3  晶体管, P沟道 搜索库存
替代型号SI7635DP-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI7635DP-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: PowerPAK P-Channel -20V -40A

当前型号

VISHAY  SI7635DP-T1-GE3  晶体管, P沟道

当前型号

型号: SI7485DP-T1-E3

品牌: 威世

封装: SO P-Channel 20V 20A 7.3mΩ

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