VBT1045BP-E3/8W、VBT1045BP-E3/4W对比区别

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型号 VBT1045BP-E3/8W VBT1045BP-E3/4W

描述 Vishay SemiconductorTMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 整流二极管肖特基二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

正向电压 680mV @10A 0.68 V

热阻 - 3℃/W (RθJC)

正向电流 10 A 10 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 100 A 160 A

正向电压(Max) 680 mV 680mV @10A

正向电流(Max) 10 A 10 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

工作结温 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃

长度 10.45 mm 10.45 mm

宽度 4.83 mm 9.14 mm

高度 9.14 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free