VBT1045BP-E3/8W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 680mV @10A
正向电流 10 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 100 A
正向电压Max 680 mV
正向电流Max 10 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
工作结温 -40℃ ~ 150℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.45 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.14 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Each
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VBT1045BP-E3/8W引脚图与封装图
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在线购买VBT1045BP-E3/8W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VBT1045BP-E3/8W | Vishay Semiconductor 威世 | Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号VBT1045BP-E3/8W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VBT1045BP-E3/8W 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： VBT1045BP-E3/4W 品牌： 威世 封装： TO-263-3 | 类似代替 | TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor | VBT1045BP-E3/8W和VBT1045BP-E3/4W的区别 |