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VND830PEP-E、VND830PEPTR-E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VND830PEP-E VND830PEPTR-E

描述 门驱动器 DOUBLE Ch Hi SIDE DRIVERMOSFET DRVR 6A 2Out Hi Side Non-Inv 24Pin PowerSSO EP T/R

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 24 -

封装 PowerSSO-24 PowerSSO-24

输出接口数 2 2

耗散功率 54000 mW -

输出电流(Max) 6 A 6 A

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

电源电压 13 V 13 V

封装 PowerSSO-24 PowerSSO-24

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free