VND830PEP-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 2
耗散功率 54000 mW
输出电流Max 6 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 13 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 24
封装 PowerSSO-24
外形尺寸
封装 PowerSSO-24
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VND830PEP-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VND830PEP-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VND830PEP-E | ST Microelectronics 意法半导体 | 门驱动器 DOUBLE Ch Hi SIDE DRIVER | 搜索库存 |
替代型号VND830PEP-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VND830PEP-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PowerSSO-24 | 当前型号 | 门驱动器 DOUBLE Ch Hi SIDE DRIVER | 当前型号 |
| 型号： VND830PEPTR-E 品牌： 意法半导体 封装： PowerSSO | 完全替代 | MOSFET DRVR 6A 2Out Hi Side Non-Inv 24Pin PowerSSO EP T/R | VND830PEP-E和VND830PEPTR-E的区别 |