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TLV2422AID、TLV2422CD、TLV2422AIDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2422AID TLV2422CD TLV2422AIDR

描述 高级LinCMOSE轨到轨输出,宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSLINCMOS满量程输出,微功耗双路运放运算放大器 - 运放 R-to-R Out Wide-In Vltg Micropower Dual

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 100 µA 100 µA 100 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 2.00 µV/K 1.80 µV/K

带宽 52.0 kHz 52.0 kHz 52.0 kHz

转换速率 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs

增益频宽积 52 kHz 0.052 MHz 52 kHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.052 MHz 0.052 MHz 52 kHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

输出电流 - ≤50 mA -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free