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CY14B101J1-SXI、CY14E101Q2A-SXI、CY14E101J2-SXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B101J1-SXI CY14E101Q2A-SXI CY14E101J2-SXI

描述 1兆位( 128千× 8 )串行( I2C )的nvSRAM 1 Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) nvSRAMNVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 5V 8Pin SOIC Tube1兆位( 128千× 8 )串行( I2C )的nvSRAM 1 Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) nvSRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

耗散功率 1 W 1 W -

存取时间(Max) - 9 ns 900 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

时钟频率 - - 3.4 MHz

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 PB free 无铅

ECCN代码 - 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a