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FQPF10N60CT、FQPF7N20L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQPF10N60CT FQPF7N20L

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3Pin(3+Tab) TO-220F TubeLOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 600 mΩ 750 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 37W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 200 V

漏源击穿电压 600 V 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 9.50 A 5.00 A

上升时间 69 ns -

输入电容(Ciss) 2040pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 50 W 37 W

下降时间 77 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 50W (Tc) 37W (Tc)

额定电压(DC) - 200 V

额定电流 - 5.00 A

长度 10.67 mm -

宽度 4.7 mm -

高度 16.3 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99