FQPF10N60CT
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF10N60CT中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 600 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 9.50 A
上升时间 69 ns
输入电容Ciss 2040pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 77 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF10N60CT引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQPF10N60CT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF10N60CT | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3Pin3+Tab TO-220F Tube | 搜索库存 |
替代型号FQPF10N60CT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF10N60CT 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 600V 9.5A 600mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3Pin3+Tab TO-220F Tube | 当前型号 |
| 型号： FQPF7N20L 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 200V 5A 750mohms | 类似代替 | LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET | FQPF10N60CT和FQPF7N20L的区别 |