FDFMA2P853、FDFMA2P857对比区别
描述 P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
引脚数 6 6
封装 MicroFET-6 MicroFET-6
安装方式 Surface Mount Surface Mount
针脚数 - -
漏源极电阻 - 120 mΩ
耗散功率 1.4 W 1.4 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
上升时间 11 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 435pF @10V(Vds) 435pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 700 mW 700 mW
下降时间 6 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.4 W 1.4 W
通道数 - 1
极性 P-CH P-Channel
漏源击穿电压 - 20 V
连续漏极电流(Ids) 3A -3.00 A
击穿电压(集电极-发射极) 2.00 V -
封装 MicroFET-6 MicroFET-6
长度 2 mm 2 mm
宽度 2 mm 2 mm
高度 0.75 mm 0.75 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 EAR99