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FDFMA2P853

FDFMA2P853

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管, Semiconductor

设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关

独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗


得捷:
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET


欧时:
### P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin MicroFET T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin MicroFET T/R


富昌:
FDFMA2P853 系列 20 V 120 mOhm 集成 P沟道 PowerTrench® MOSFET


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin MicroFET T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin MicroFET T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6


DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6


FDFMA2P853中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.4 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 11 ns

击穿电压集电极-发射极 2.00 V

输入电容Ciss 435pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 MicroFET-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 MicroFET-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDFMA2P853引脚图与封装图
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在线购买FDFMA2P853
型号 制造商 描述 购买
FDFMA2P853 Fairchild 飞兆/仙童 P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor 设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FDFMA2P853
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDFMA2P853

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: MicroFET P-CH 20V 3A

当前型号

P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号: FDFMA2P857

品牌: 飞兆/仙童

封装: MicroFET2×2 P-Channel -20V -3A 120mohms

类似代替

P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDFMA2P853和FDFMA2P857的区别