SI4463CDY-T1-GE3、SI9433BDY-T1-E3、FDS9431A对比区别

高亮显示差异参数

型号 SI4463CDY-T1-GE3 SI9433BDY-T1-E3 FDS9431A

描述 VISHAY  SI4463CDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mVVISHAY  SI9433BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -4.5A, 8-SOICFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9431A  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -600 mV

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.006 Ω 0.03 Ω 130 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 5 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) - -20.0 V 20 V

栅源击穿电压 - ±12.0 V ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) - -6.20 A -3.50 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2700 mW 1300 mW 2.5W (Ta)

额定电压(DC) - - -20.0 V

额定电流 - - -3.50 A

通道数 - - 1

输入电容 - - 405 pF

栅电荷 - - 6.00 nC

漏源击穿电压 - - 20 V

上升时间 35 ns - 20 ns

输入电容(Ciss) 4250pF @10V(Vds) - 405pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - - 1 W

下降时间 30 ns - 21 ns

长度 4.9 mm 5 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.55 mm 1.55 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99