
针脚数 8
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds -20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -6.20 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI9433BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI9433BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -4.5A, 8-SOIC | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI9433BDY-T1-E3 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: SO P-Channel -20V -6.2A 30mohms | 当前型号 | VISHAY SI9433BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -4.5A, 8-SOIC | 当前型号 | |
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