PMGD370XN、PMGD370XN,115、FDG6303N对比区别

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型号 PMGD370XN PMGD370XN,115 FDG6303N

描述 NXP  PMGD370XN  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 740 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 1 VPMGD370XN - 双N沟道TrechMOS极低电平FETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6303N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 500 mA, 25 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 800 mV

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363 SOT-363-6 SC-70-6

额定电压(DC) - - 25.0 V

额定电流 - - 500 mA

针脚数 6 - 6

漏源极电阻 0.37 Ω - 0.34 Ω

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 410 mW 0.41 W 300 mW

阈值电压 1 V - 800 mV

输入电容 - - 50.0 pF

栅电荷 - - 340 pC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V

漏源击穿电压 - - 25.0 V

栅源击穿电压 - - 8.00 V

连续漏极电流(Ids) 0.74A 740 mA 500 mA

上升时间 - - 8.5 ns

输入电容(Ciss) 37pF @25V(Vds) 37pF @25V(Vds) 50pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 410 mW 300 mW

下降时间 - - 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.41 W - 0.3 W

通道数 - 2 -

长度 2.2 mm - 2 mm

宽度 1.35 mm 1.35 mm 1.25 mm

高度 1 mm - 1 mm

封装 SOT-363 SOT-363-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR