PMGD370XN,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PMGD370XN,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 Dual N-Channel
耗散功率 0.41 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 740 mA
输入电容Ciss 37pF @25VVds
额定功率Max 410 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
宽度 1.35 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMGD370XN,115引脚图与封装图
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在线购买PMGD370XN,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMGD370XN,115 | NXP 恩智浦 | PMGD370XN - 双N沟道TrechMOS极低电平FET | 搜索库存 |
替代型号PMGD370XN,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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