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BSP62E6327HTSA1、BSP62,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP62E6327HTSA1 BSP62,115

描述 SOT-223 PNP 80V 1ANXP  BSP62,115  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 200 MHz, 1.25 W, -1 A, 2000 hFE

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-223-4 TO-261-4

引脚数 - 3

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V

额定功率(Max) 1.5 W 1.25 W

耗散功率(Max) 1.5 W 1250 mW

针脚数 - 3

耗散功率 - 1.25 W

最大电流放大倍数(hFE) - -

直流电流增益(hFE) - 2000

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

增益带宽 - 200 MHz

封装 SOT-223-4 TO-261-4

长度 - -

宽度 - -

高度 - 1.7 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - -