BSP62E6327HTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSP62E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 1.5 W
耗散功率Max 1.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-223-4
外形尺寸
封装 SOT-223-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSP62E6327HTSA1引脚图与封装图
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在线购买BSP62E6327HTSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP62E6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | SOT-223 PNP 80V 1A | 搜索库存 |
替代型号BSP62E6327HTSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP62E6327HTSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-223 PNP | 当前型号 | SOT-223 PNP 80V 1A | 当前型号 |
| 型号： BSP62,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 PNP 1250mW | 功能相似 | NXP BSP62,115 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 200 MHz, 1.25 W, -1 A, 2000 hFE | BSP62E6327HTSA1和BSP62,115的区别 |