TPS2815D、TPS2815DR、TPS2815DG4对比区别

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型号 TPS2815D TPS2815DR TPS2815DG4

描述 MOSFET 和 IGBT 驱动器，高达 2.5A，Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.00V (min) 4.00V (min) 4.00V (min)

上升/下降时间 14ns, 15ns 14ns, 15ns 14ns, 15ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 2.00 A - 2 A

耗散功率 0.73 W 0.73 W 730 mW

上升时间 35 ns 35 ns 14 ns

下降时间 35 ns 35 ns 15 ns

下降时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

上升时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 730 mW 730 mW 730 mW

电源电压 4V ~ 14V 4V ~ 14V 4V ~ 14V

电源电压(Max) 14 V 14 V 14 V

电源电压(Min) 4 V 4 V 4 V

输出电压 11.5 V - -

供电电流 5.00 mA - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -