BSC057N08NS3 G、FDMS3572、IRFH5007TRPBF对比区别

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型号 BSC057N08NS3 G FDMS3572 IRFH5007TRPBF

描述 INFINEON  BSC057N08NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.8 VUltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8Pin PQFN EP T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 8

封装 TDSON-8 Power-56 PQFN-8

额定电压(DC) - 80.0 V -

额定电流 - 22.0 A -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0047 Ω 16.5 mΩ 5.1 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 3.6 W

阈值电压 2.8 V 3.2 V 2 V

输入电容 - 2.49 nF -

栅电荷 - 40.0 nC -

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 75 V

漏源击穿电压 - 80.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 22.0 A 100 A

上升时间 - 13 ns -

输入电容(Ciss) 2900pF @40V(Vds) 2490pF @40V(Vds) 4290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 114 W 2.5 W 3.6 W

下降时间 - 12 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 114 W 2.5W (Ta), 78W (Tc) -

通道数 1 - 1

产品系列 - - IRFH5007

长度 5.35 mm 5 mm -

宽度 6.1 mm 6 mm -

高度 1.1 mm 0.75 mm -

封装 TDSON-8 Power-56 PQFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -