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BSC057N08NS3 G

BSC057N08NS3 G

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSC057N08NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.8 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

BSC057N08NS3 G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0047 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 80 V

输入电容Ciss 2900pF @40VVds

额定功率Max 114 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 114 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

长度 5.35 mm

宽度 6.1 mm

高度 1.1 mm

封装 TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSC057N08NS3 G引脚图与封装图
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在线购买BSC057N08NS3 G
型号 制造商 描述 购买
BSC057N08NS3 G Infineon 英飞凌 INFINEON  BSC057N08NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.8 V 搜索库存
替代型号BSC057N08NS3 G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSC057N08NS3 G

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TDSON N-Channel

当前型号

INFINEON  BSC057N08NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.8 V

当前型号

型号: FDMS3572

品牌: 飞兆/仙童

封装: Power N-Channel 80V 22A 2.49nF

功能相似

UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

BSC057N08NS3 G和FDMS3572的区别

型号: IRFH5007TRPBF

品牌: 国际整流器

封装: PQFN-8 N-Channel 75V 100A

功能相似

Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8Pin PQFN EP T/R

BSC057N08NS3 G和IRFH5007TRPBF的区别