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RB751V40T1、RB751V40T1G、RB751V40对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RB751V40T1 RB751V40T1G RB751V40

描述 40 V肖特基二极管 40 V SCHOTTKY BARRIER DIODEON SEMICONDUCTOR  RB751V40T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °CRB751V40 肖特基二极管 40V 120mA/0.12A 370mV/0.37V SOD323/SC-76/USC/0805 marking/标记 5E 快速开关 低压降

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOD-323 SOD-323 SOD-323

引脚数 - 2 -

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -

额定电流 30.0 mA 30.0 mA -

电容 2.50 pF 2.50 pF -

输出电流 ≤30.0 mA ≤30.0 mA -

正向电压 370mV @1mA 370mV @1mA 0.37 V

极性 Standard Standard -

热阻 635℃/W (RθJA) 635℃/W (RθJA) -

正向电压(Max) 370mV @1mA 370 mV -

最大反向电压(Vrrm) - - 30V

正向电流 - 30 mA 0.03 A

最大反向漏电流(Ir) - - 0.5uA

针脚数 - 2 -

耗散功率 - 200 kW -

反向恢复时间 - 6 ns -

最大反向击穿电压 - 30 V -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 500 mA -

正向电流(Max) - 30 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

封装 SOD-323 SOD-323 SOD-323

长度 - 1.7 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.9 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

最小包装 - - 3000

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -