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JAN2N1486、JANTX2N1486、2N1486对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N1486 JANTX2N1486 2N1486

描述 NPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORNPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORNPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-8 TO-8 TO-8-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 1750 mW 1.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 55 V 55 V 55 V

集电极最大允许电流 3A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 35 @750mA, 4V 35 @750mA, 4V -

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW

封装 TO-8 TO-8 TO-8-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 - - EAR99