JANTX2N1486
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N1486中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 1750 mW
击穿电压集电极-发射极 55 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 35 @750mA, 4V
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1750 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-8
外形尺寸
封装 TO-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTX2N1486引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N1486
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N1486 | Microsemi 美高森美 | NPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N1486
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N1486 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-8 NPN 1750mW | 当前型号 | NPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JAN2N1486 品牌： 美高森美 封装： TO-8 NPN | 完全替代 | NPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR | JANTX2N1486和JAN2N1486的区别 |
| 型号： 2N1486 品牌： 美高森美 封装： TO-8-3 NPN 1750mW | 功能相似 | NPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR | JANTX2N1486和2N1486的区别 |