SFI2955TU、SPP08P06PH、SPB08P06PG对比区别

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型号 SFI2955TU SPP08P06PH SPB08P06PG

描述 MOSFET Power P-CH/60V/9.4A/0.3Ω60V,-8.8A,P沟道功率MOSFETSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-262 TO-220 TO-263

引脚数 - - 3

漏源极电阻 300 mΩ - -

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 3.80 W - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 9.4A 8.8A 8.80 A

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -8.80 A

输入电容 - - 420 pF

栅电荷 - - 15.0 nC

上升时间 - 46 ns -

下降时间 - 14 ns -

封装 TO-262 TO-220 TO-263

产品生命周期 Unknown Active End of Life

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -