SPP08P06PH
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
SPP08P06PH中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 8.8A
上升时间 46 ns
下降时间 14 ns
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPP08P06PH引脚图与封装图
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在线购买SPP08P06PH
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPP08P06PH | Infineon 英飞凌 | 60V,-8.8A,P沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SPP08P06PH
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPP08P06PH 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220 P-CH 60V 8.8A | 当前型号 | 60V,-8.8A,P沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SPB08P06PG 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 P-Channel 60V 8.8A 420pF | 功能相似 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | SPP08P06PH和SPB08P06PG的区别 |
| 型号： SFI2955TU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-262 P-Channel 60V 9.4A 300mΩ | 功能相似 | MOSFET Power P-CH/60V/9.4A/0.3Ω | SPP08P06PH和SFI2955TU的区别 |