SI2301BDS-T1-E3、SI2301CDS-T1-GE3、IRLML2246TRPBF对比区别

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型号 SI2301BDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-GE3 IRLML2246TRPBF

描述 VISHAY  SI2301BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -950 mVP 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorINFINEON  IRLML2246TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

额定功率 - 1.6 W 1.3 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 100 mΩ 0.142 Ω 0.09 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 900 mW 1.6 W 1.3 W

漏源极电压(Vds) -20.0 V -20.0 V 20 V

连续漏极电流(Ids) -2.20 A -3.10 A 2.6A

上升时间 - 35 ns 7.7 ns

输入电容(Ciss) 375pF @6V(Vds) 405pF @10V(Vds) 220pF @16V(Vds)

下降时间 - 10 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.7 W 860 mW 1.3W (Ta)

通道数 - - 1

阈值电压 - - 1.1 V

输入电容 - - 220 pF

漏源击穿电压 - - 20 V

额定功率(Max) - - 1.3 W

长度 3.04 mm 3.04 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm

高度 1.02 mm 1.02 mm 1.02 mm

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -