KSC1008CYBU、KSC1008CYTA、KSC1008YBU对比区别

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型号 KSC1008CYBU KSC1008CYTA KSC1008YBU

描述 NPN Epitacial硅晶体管 NPN Epitacial Silicon TransistorNPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 700 mA 700 mA 700 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.8 W 0.8 W 800 mW

增益频宽积 50 MHz 50 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.7A 0.7A 0.7A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @50mA, 2V 40 120 @50mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 400 400 400

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 800 mW 800 mW

频率 - 50 MHz -

长度 4.7 mm 4.7 mm 4.58 mm

宽度 3.93 mm 3.93 mm 3.86 mm

高度 4.7 mm 4.7 mm 4.58 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Tape Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99