KSC1008CYBU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSC1008CYBU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 700 mA
极性 NPN
耗散功率 0.8 W
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.7A
最小电流放大倍数hFE 120 @50mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSC1008CYBU引脚图与封装图
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在线购买KSC1008CYBU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSC1008CYBU | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN Epitacial硅晶体管 NPN Epitacial Silicon Transistor | 搜索库存 |
替代型号KSC1008CYBU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSC1008CYBU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 60V 700mA | 当前型号 | NPN Epitacial硅晶体管 NPN Epitacial Silicon Transistor | 当前型号 |
| 型号： KSC1008YBU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 60V 700mA 800mW | 类似代替 | NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSC1008CYBU和KSC1008YBU的区别 |
| 型号： KSC1008CYTA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 60V 700mA 0.8W | 功能相似 | NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSC1008CYBU和KSC1008CYTA的区别 |