FQB55N10、FQB55N10TM对比区别

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型号 FQB55N10 FQB55N10TM

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 26 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263 TO-263-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 26 mΩ 0.021 Ω

耗散功率 155 W 3.75 W

阈值电压 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

上升时间 - 250 ns

输入电容(Ciss) - 2730pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.75 W

下降时间 - 140 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.75W (Ta), 155W (Tc)

极性 N-Channel N-Channel

连续漏极电流(Ids) 55.0 A 55.0 mA

额定电压(DC) - 100 V

额定电流 - 55.0 A

通道数 - 1

输入电容 - 2.10 nF

栅电荷 - 75.0 nC

漏源击穿电压 - 100 V

栅源击穿电压 - ±25.0 V

长度 - 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm

高度 - 4.83 mm

封装 TO-263 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99