MTP12P10、RFP12P10、MTP12P10G对比区别

高亮显示差异参数

型号 MTP12P10 RFP12P10 MTP12P10G

描述 功率MOSFET 12安培， 100伏P沟道TO- 220 Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts P−Channel TO−22012A ， 80V和100V ， 0.300欧姆，P沟道功率MOSFET 12A, 80V and 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs-12A,-100V,P沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Intersil (英特矽尔) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220 - TO-220-3

额定电压(DC) -100 V - -100 V

额定电流 -12.0 A - -12.0 A

漏源极电阻 300 mΩ - 300 mΩ

极性 P-Channel - P-Channel

耗散功率 75.0 W - 75W (Tc)

输入电容 - - 920 pF

栅电荷 - - 50.0 nC

漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A - 12.0 A

输入电容(Ciss) - - 920pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 75 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 75W (Tc)

封装 TO-220 - TO-220-3

材质 - - Silicon

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99