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TLV2432AID、TLV2432AQDRQ1、TLV2432AIDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2432AID TLV2432AQDRQ1 TLV2432AIDR

描述 LinCMOS 运算放大器,TLV 系列### 运算放大器,Texas Instruments高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS高级 LinCMOS™ 轨到轨输出、宽输入电压、双路运算放大器 8-SOIC -40 to 85

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 100 µA 200 µA 100 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.725 W 0.725 W 725 mW

共模抑制比 70 dB 70 dB 70dB ~ 83dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 500 kHz 500 kHz 500 kHz

转换速率 250 mV/μs 250 mV/μs 250 mV/μs

增益频宽积 0.55 MHz 0.55 MHz 550 kHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

增益带宽 0.55 MHz - -

电源电压 2.7V ~ 10V - -

电源电压(Max) 10 V - 10 V

电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -