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FQP6N25、STP55NF06、FDH44N50对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQP6N25 STP55NF06 FDH44N50

描述 250V N沟道MOSFET 250V n-Channel MOSFETMOSFET 晶体管,STMicroelectronicsON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

额定电压(DC) 250 V 60.0 V -

额定电流 5.50 A 50.0 A -

额定功率 - 110 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 1.00 Ω 0.015 Ω 0.11 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 63 W 30 W 750 W

阈值电压 - 3 V 3.15 V

漏源极电压(Vds) 250 V 60 V 500 V

漏源击穿电压 250 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 50.0 A -

上升时间 65 ns 50 ns 84 ns

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 5335pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 63 W 110 W 750 W

下降时间 30 ns 15 ns 79 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 63W (Tc) 110W (Tc) 750 W

长度 10.67 mm 10.4 mm 15.87 mm

宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.82 mm

高度 16.3 mm 9.15 mm 20.82 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -