IXFH11N80、STW8NK80Z、SPW17N80C3对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXFH11N80 STW8NK80Z SPW17N80C3

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3Pin(3+Tab) TO-247ADSTMICROELECTRONICS  STW8NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 VINFINEON  SPW17N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V

额定电流 11.0 A 6.20 A 17.0 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 1.5 Ω 290 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 140 W 208 W

阈值电压 - 3.75 V 3 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 - 800 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 6.20 A 17.0 A

上升时间 33 ns 30 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 1320pF @25V(Vds) 2320pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 140 W 208 W

下降时间 32 ns 28 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 140W (Tc) 227W (Tc)

额定功率 - - 227 W

长度 - 15.75 mm 16.13 mm

宽度 - 5.15 mm 5.21 mm

高度 - 20.15 mm 21.1 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR