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STW8NK80Z

STW8NK80Z

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STMICROELECTRONICS  STW8NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics

### MOSFET ，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3


欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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N沟道 800V 6.2A


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Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO247-3


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Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247


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MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247


STW8NK80Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 6.20 A

针脚数 3

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 6.20 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1320pF @25VVds

额定功率Max 140 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STW8NK80Z引脚图与封装图
STW8NK80Z引脚图

STW8NK80Z引脚图

STW8NK80Z封装图

STW8NK80Z封装图

STW8NK80Z封装焊盘图

STW8NK80Z封装焊盘图

在线购买STW8NK80Z
型号 制造商 描述 购买
STW8NK80Z ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW8NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STW8NK80Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STW8NK80Z

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 800V 6.2A 1.5ohms

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW8NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号： STW20NK50Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ

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品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 1kV 8.3A 1.38Ω

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品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 900V 11A 880mΩ

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