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IPA50R950CE、IPA50R950CEXKSA1、SPA04N50C3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA50R950CE IPA50R950CEXKSA1 SPA04N50C3

描述 500V,4.3A,950mOhm,N沟道功率MOSFETTO-220FP N-CH 550V 4.3A酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 26 W - -

漏源极电压(Vds) 500 V 550 V 560 V

连续漏极电流(Ids) 4.3A 4.3A 4.50 A

上升时间 4.9 ns 4.9 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 231pF @100V(Vds) - 470pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 26 W - 31 W

下降时间 19.5 ns 19.5 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 25.7W (Tc) - 31000 mW

额定电压(DC) - - 560 V

额定电流 - - 4.50 A

通道数 - - 1

长度 10.65 mm - 10.65 mm

宽度 4.85 mm - 4.7 mm

高度 16.15 mm - 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Rail, Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free