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IPA50R950CE

IPA50R950CE

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

500V,4.3A,950mOhm,N沟道功率MOSFET

通孔 N 通道 500 V 4.3A（Tc） 25.7W（Tc） PG-TO220-3-31


得捷:
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO220-FP


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500V,4.3A,950mOhm,N沟道功率MOSFET


IPA50R950CE中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 26 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 4.3A

上升时间 4.9 ns

输入电容Ciss 231pF @100VVds

额定功率Max 26 W

下降时间 19.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 25.7W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPA50R950CE引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPA50R950CE Infineon 英飞凌 500V,4.3A,950mOhm,N沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号IPA50R950CE
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPA50R950CE

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-220 N-CH 500V 4.3A

当前型号

500V,4.3A,950mOhm,N沟道功率MOSFET

当前型号

型号： SPA04N50C3

品牌： 英飞凌

封装： TO220-3 N-CH 560V 4.5A

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