LM13700M/NOPB、LM13700MX/NOPB、NE5517DG对比区别

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型号 LM13700M/NOPB LM13700MX/NOPB NE5517DG

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM13700M/NOPB  跨导放大器, 双路, 2个放大器, 36 V, 2 MHz, -5 V, 5 V, SOICTEXAS INSTRUMENTS  LM13700MX/NOPB  跨导放大器, 双路, 2个放大器, SOICON SEMICONDUCTOR  NE5517DG.  芯片, 跨导放大器, 2MHZ, SOIC-16

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

输出电流 20.0 mA 20.0 mA ≥350 A

供电电流 2.6 mA 2.6 mA 2.6 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 16 16 16

共模抑制比 80 dB 80 dB 80 dB

输入补偿漂移 0.00 V/K 0.00 V/K -

带宽 2 MHz 2 MHz -

转换速率 50.0 V/μs 50.0 V/μs 50.0 V/μs

增益频宽积 2 MHz 2 MHz 2 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 400 µV

输入偏置电流 1 µA 1 µA 400 nA

输入电压(Max) 5 V 32 V 5 V

输入电压(Min) - 9.5 V -

输出电流(Max) 650 µA 650 µA 650 µA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 2 MHz 80 dB 2 MHz

共模抑制比(Min) 75dB ~ 85dB 80 dB 75dB ~ 85dB

电源电压 36 V 10V ~ 36V 44 V

电源电压(Max) 30V ~ 50V 30V ~ 50V 30V ~ 50V

电源电压(DC) 36.0 V - 44.0 V

工作电压 36 V - -

输出电流(Min) 350 µA - 350 µA

电源电压(Min) 10 V - 4 V

无卤素状态 - - Halogen Free

耗散功率 - - 1.125 W

耗散功率(Max) - - 1125 mW

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

长度 9.91 mm - -

宽度 3.91 mm - 4 mm

高度 1.45 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99