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1N3766、JAN1N3766、1N2279对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N3766 JAN1N3766 1N2279

描述 高可靠性硅电力整流器 HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier广颖电整流器 SILICON POWER RECTIFIER

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管功率二极管功率二极管

基础参数对比

引脚数 - 2 -

封装 DO-203AB-2 DO-203AB DO-5

正向电压 - 1.4V @110A -

正向电流(Max) - 35 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

封装 DO-203AB-2 DO-203AB DO-5

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

军工级 - Yes -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -