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军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier

This series of silicon power rectifier part numbers are qualified up to the JANTXV level for high reliability applications.  They are constructed with glass passivated die and feature glass to metal seal construction.  They have a 500 amp surge rating and provide a VRWM up to 1000 volts.


艾睿:
Diode Switching 800V 35A 2-Pin DO-5 Tray


JAN1N3766中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.4V @110A

正向电流Max 35 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

引脚数 2

封装 DO-203AB

外形尺寸

封装 DO-203AB

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

军工级 Yes

JAN1N3766引脚图与封装图
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替代型号JAN1N3766
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JAN1N3766

品牌: Microsemi 美高森美

封装: ~0.8°C/W

当前型号

军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier

当前型号

型号: NTE5998

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封装:

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