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2SC3503CSTU、KSC3503DSTU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC3503CSTU KSC3503DSTU

描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC3503DSTU  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 150 MHz, 7 W, 100 mA, 60 hFE

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

频率 - 150 MHz

额定电压(DC) - 300 V

额定电流 - 100 mA

针脚数 - 3

极性 NPN NPN

耗散功率 7000 mW 7 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 10V 40 @10mA, 10V

额定功率(Max) 7 W 7 W

直流电流增益(hFE) - 60

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 7 W

最大电流放大倍数(hFE) 40 -

长度 8 mm 8 mm

宽度 3.25 mm 3.25 mm

高度 11 mm 11 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube, Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99