2SC3503CSTU
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
2SC3503CSTU中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 7000 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 7 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube, Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SC3503CSTU引脚图与封装图
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在线购买2SC3503CSTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC3503CSTU | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | 搜索库存 |
替代型号2SC3503CSTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC3503CSTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-126 NPN | 当前型号 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | 当前型号 |
| 型号： KSC3503DSTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-126 NPN 300V 100mA 7W | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSC3503DSTU 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 150 MHz, 7 W, 100 mA, 60 hFE | 2SC3503CSTU和KSC3503DSTU的区别 |