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JAN2N3418S、JANTXV2N3418S、JANTX2N3418S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3418S JANTXV2N3418S JANTX2N3418S

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,TO-39 NPN 60V 3ASmall Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,

数据手册 ---

制造商 Solitron Devices Microsemi (美高森美) Solitron Devices

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-39 -

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V -

集电极最大允许电流 - 3A -

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @1A, 2V -

额定功率(Max) - 1 W -

封装 - TO-39 -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - -

含铅标准 - -