JANTXV2N3418S
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3418S中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 2V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JANTXV2N3418S引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTXV2N3418S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3418S | Microsemi 美高森美 | TO-39 NPN 60V 3A | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3418S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N3418S 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 NPN | 当前型号 | TO-39 NPN 60V 3A | 当前型号 |
| 型号： 2N3418 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Transistor | JANTXV2N3418S和2N3418的区别 |
| 型号： JAN2N3418S 品牌： Solitron Devices 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 5A IC, 60V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, | JANTXV2N3418S和JAN2N3418S的区别 |
